|
|
Development and Application of an UHV Equipment for Deposition of Thin Films (Atomic and Ion Systems)
Mach, Jindřich ; Čech, Vladimír (referee) ; Lencová, Bohumila (referee) ; Šikola, Tomáš (advisor)
In the thesis the development of two equipment for preparation of ultrathin films under ultrahign vacuum conditions (UHV) is discussed. Here, additionally to a brief description of theoretical principles, more details on the design of these units are given. In the first part the design of a thermal source of oxygen or hydrogen atomic beams is discussed. Further, a design and construction of an ion–atomic beam source for ion-beam assisted deposition of thin films is detailed. The source combines the principles of an efusion cell and electron-impact ion beam source generating ions of (30 – 100) eV energy. The source has been successfully applied for the growth of GaN on the Si(111) 7x7 substrate under room temperature.
|
|
|
Application of oxygen atomic beams
Mikerásek, Vojtěch ; Čech, Vladimír (referee) ; Mach, Jindřich (advisor)
V diplomové práci je popsán návrh, konstrukce a testování termálního zdroje svazku atomárního kyslíku, který je určen k růstu tenkých oxidových vrstev v podmínkách ultra vysokého vakua. První kapitola pojednává o teorii spjaté s termální disociací a tvorbou atomárních svazků. Dále jsou uvedeny hlavní typy zdrojů svazků atomárního kyslíku a jeho aplikace. Experimentální část je věnována samotnému návrhu zařízení, konstrukci a jeho složení. V poslední část je popsáno testování vlivu atomárního kyslíku na vznik oxidových vrstev (stechiometricky Ga2O3) na nanokapičkách Ga na křemíkovém substrátu připraveného molekulární svazkovou epitaxí. Chemické složení a morfologie připravených nanostruktur jsou zkoumány metodou XPS, SEM a TEM.
|
|
|
Development and Application of an UHV Equipment for Deposition of Thin Films (Atomic and Ion Systems)
Mach, Jindřich ; Čech, Vladimír (referee) ; Lencová, Bohumila (referee) ; Šikola, Tomáš (advisor)
In the thesis the development of two equipment for preparation of ultrathin films under ultrahign vacuum conditions (UHV) is discussed. Here, additionally to a brief description of theoretical principles, more details on the design of these units are given. In the first part the design of a thermal source of oxygen or hydrogen atomic beams is discussed. Further, a design and construction of an ion–atomic beam source for ion-beam assisted deposition of thin films is detailed. The source combines the principles of an efusion cell and electron-impact ion beam source generating ions of (30 – 100) eV energy. The source has been successfully applied for the growth of GaN on the Si(111) 7x7 substrate under room temperature.
|
guest ::
